Рис. 1. Спектры пропускания арсенида галлия толщиной 2.0, 5.0, 6.5 и 7.5 мм. Иногда, например, в лазерных дальномерах, окна из арсенида галлия используются на длинах волн 1.064 и 1.55 микрона. В таких
PDF | On Apr 12, 1991, А.М. Журба and others published Жидкофазная эпитаксия арсенида галлия на подложках из кремния | Find, read and ...
разователи на основе арсенида галлия из сформированными на их поверхности слоями por-GaAs ( пористость 45 – 60%). Исследованы коэффициенты отражения в зависимости от
Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия имеют более высокую радиационную стойкость, чем кремниевые, что обусловливает их использование в …
Тендер на поставку эпитаксиальных пластин из арсенида галлия, С-4СР(660) (GaAsP Epitaxial Wafers), производства Mitsubishi Chemical Corporation в Москве, Москва город. АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ОПТРОН". 33593863
Арсенид галлия, который входит в солнечные батареи, представляет собой полупроводник. Он имеет такие же свойства, которые имеет кремний. Но главное …
Элементы, изготовленные из арсенида галлия, занимают первое место по своим показателям. Такие солнечные батареи позволяют вырабатывать …
Мы проанализировали проблему создания структур СЭ на основе арсенида галлия на микро рельефной поверхности с точки зрения формирования слоев структуры …
2 · Метод эпитаксиального отрыва предлагается для производства тонкопленочных солнечных элементов из арсенида галлия. В этом методе тонкая пленка отделяется от ...
Арсенид галлия – один из наиболее перспективных материалов для создания ... оптические свойcтва анизотропно-травленого арсенида галлия (Киев: Наук. думка: 1988). Created Date
Солнечные батареи на основе арсенида галлия и их особенности Солнечные батареи, созданные с использованием арсенида галлия (соединение галлия и мышьяка), - это одна из альтернатив привычным кремниевым фотоэлементам
КПД гетероструктурных ( например, арсенид-галлиевых) солнечных батарей доходит до 35-40 %. Их максимальная рабочая температура — до +150 o …
Формализованы соответствия и отношения, на основании которых производится оптимизация как конструкции, так и параметров не только кремниевых солнечных элементов, но и элементов, изготовленных на базе арсенида ...
Арсенид галлия обладает относительно большим коэффициентом оптического поглощения, сравнительно большей шириной запрещенной зоны, подвижностью …
В отличие от традиционных солнечных панелей, тонкопленочные солнечные элементы из арсенида галлия обладают такими преимуществами, как гибкость, …
Новый дешевый метод изготовления пластин на основе арсенида галлия - полупроводника, превосходящего традиционный кремний по многим параметрам, разработали ученые.
УТОЧНЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ МИКРОСТРУКТУРЫ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ДЛЯ КОМБИНИРОВАННОЙ СОЛНЕЧНОЙ ЭЛЕКТРОСТАНЦИИ Л.И. Кныш, В.А. Габринец
Авторы расположили на одной пластине сразу несколько слоёв арсенида галлия, ... полевых транзисторов на подложке из стекла и массивов фотодетекторов ближнего ИК-диапазона на ...
Объединение фотоэлементов, прямо преобразующих солнечную энергию в постоянный электрический ток, в отличие от солнечных коллекторов, …