RU2031477C1 - СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ AIII и BV ...
Основы технологии получения кремниевых структур с объемными элементами методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и ...
получения структуры СЭ применялся изотермический метод жидкофазной эпитаксии. В качестве контактов применялись; со стороны n –GaAs Au-Ge-Ni и со стороны p- …
2.4 Методы осаждения из жидкой фазы Несмотря на то что методы осаждения из жидкой фазы не относятся к тонкопленочным, их считают перспективными методами получения на поверхностях большой площади тонких слоев ...
международных информационно-аналитических системах научного цитирования Web of Science или Scopus: не менее 15 шт. - Опыт работы на установках жидкофазной эпитаксии для выращивания АIIIВV
излучения (lambda=808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии ... методом жидкофазной эпитаксии January 2018 ...
Физика Физика полупроводников Исследование жидкофазной эпитаксии и диффузии примесей из жидкой и газовой фаз для структур солнечных элементов на основе AlGaAs/GaAs и GaSb тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ...
Ему принадлежит конструкции солнечных элементов полученные методом жидкофазной эпитаксии из веществ nGaAs-pAl х-р Ga 1-х As. В дальнейшем были получены различные структуры с разной проводимостью.
4.2. Исследование характеристик солнечных элементов 120 4.2.1. Однопереходные GaAs СЭ, изготовленные методом жидкофазной эпитаксии 120 4.2.2.
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук Заявление на замещение вакантной должности
СЛОЕВ AlGaAs МЕТОДОМ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ Н.И. Шумакин nikita019kvo@gmail SPIN-код: 6643-5093 МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва, Российская Федерация Аннотация Ключевые слова
Эти структуры получены методом жидкофазной эпитаксии из оловянного ... кремниевых солнечных элементов ...
Сущность изобретения: в качестве легирующей примеси используют соединения типа AIIBV2 или AI3IBV2 для выращивания слоя p-типа проводимости и AI2IIBV3I для выращивания слоя n-типа проводимости, при этом состав жидкой фазы
Глава II. Исследование легированных эпитаксиальных слоев антимонида галлия, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. 2.1. Технологическая установка для проведения жидкофазной эпитаксии. 2.2.
Эти структуры получены методом жидкофазной эпитакс ии из оловянного раствора - расплава в атмосфере вод ...
Методом жидкофазной эпитаксии выращены многослойные наногетероструктуры с квантовы ми точками InAs-QD/GaAs и Ge-QD/GaP для солнечных элементов.
антимонида галлия методом жидкофазной эпитаксии, а так же в разработке и исследовании фотоэлектрических систем, преобразующих как солнечное, так и …
В данной работе приведены результаты исследований спектральных зависимостей фототока pSi-nSi1-xSnx- структур, полученные на основе …
эпитаксиальных слоев заданных электрофизических параметров методом жидкофазной эпитаксии, состава и топологии поверхности и влиять отрицательно …
Наиболее близким к заявляемому техническому решению является (US, патент 5733815) способ получения высоковольтных p-i-n структур GaAs методом жидкофазной эпитаксии, включающий нагрев исходной шихты до образования ...
На правах рукописи гп р" г** /^ч т Денисов Игорь Андреевич 003058396 Разработка технологии выращивания эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур методом жидкофазной эпитаксии для инфракрасных фотоприемников
Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Многопереходные гетероструктурные ...
процессе жидкофазной эпитаксии. - определение оптимальных технологических режимов выращивания антимонида галлия легированного теллуром методом жидкофазной эпитаксии.
ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ. ВВЕДЕНИЕ. 1. ОБОСНОВАНИЕ ВЫБОРА ОБЪЕКТА, ЦЕЛИ И ЗАДАЧ ...
5.2.2. Изготовление слоев методами жидкофазной эпитаксии и химического осаждения из паровой фазы Выращивание сложных структур методом жидкофазной зпитаксии основано на растворении в расплавах галлия и сплава и ...
Исследованы зависимости подвижности носителей заряда от концентрации в антимониде галлия, полученного методом жидкофазной …
Наращивание при жидкофазной эпитаксии происходит путем кристаллизации из раствора в расплаве. Процесс проводится в атмосфере инертных газов (азота и водорода) или в вакууме.
нашли структуры СЭ, получаемые методом жидкофазной эпитаксии. Основной р-п переход, разделяющий носители заряда в таких структурах, расположен в области базы из арсенида
Download Citation | Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные ...
Обоснована перспективность изготовления наногетероэпитаксиальных струк- тур с квантовыми точками методом жидкофазной эпитаксии с импульсным …
В данной работе приведены результаты исследований спектральных зависимостей фототока pSi-nSi 1-x Sn x (0£х£0.04)-структур, полученные на основе эпитаксиальних пленок твердого раствора Si 1-x Sn x выращенные методом жидкофазной ...
Хадини и Томасом [178] опубликовано сообщение о разработке нового интересного метода проведения жидкофазной эпитаксии с применением подложек, …
Использование: в процессах изготовления приборов опто- или микроэлектроники, лазаров ...
Electrochemical capacitance–voltage profiling has been used to examine heterojunction solar cells based on single-crystal silicon. Specific features of the electrochemical ...